三星公布下一代HBM3E情况

　　在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E内存的最新情况，这项技术在容量、频率和带宽方面都取得了巨大的突破。

　　三星的HBM3E内存采用了基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，准确来说是14nm。与此同时，单个芯片的容量可达到24Gb，通过8颗芯片的堆叠，内存容量可达到24GB，而通过12颗芯片的堆叠，内存容量则可达到36GB，相较于HBM3内存，容量提升了一半。

　　此外，HBM3E内存的等效频率可达到9.8GHz，同样提升了一半，超过了SK海力士的9GHz和美光的9.2GHz。单颗芯片的带宽可达到1-1.1225TB/s。

　　对于像NVIDIA H100这样的计算卡来说，六颗HBM3E内存芯片可以组成一张单卡容量达到216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。

　　在能效方面，三星声称HBM3E内存的能效可以提升10%，但显然这一提升会被25%的频率提升所抵消。

　　考虑到三星刚刚开始量产HBM3内存，新一代的HBM3E内存预计将在明年某个时候开始量产，而实际出货可能要等到明年底。

　　正因为如此，NVIDIA下一代计算卡B100将独家采用SK海力士的HBM3E内存，至少在第一批产品中，三星无法赶上。

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